機械繼電器VS MOS FET繼電器

①尺寸小巧，有助于實(shí)現設備的小型化、高密度化

以10個(gè)貼裝面積進(jìn)行比較時(shí)(0.3mm間隔的貼裝)

②長(cháng)壽命

由于沒(méi)有接點(diǎn)(＝無(wú)機械壽命)，所以有助于削減采用大量繼電器的商品維護頻率。

③穩定的導通電阻

與機械式繼電器相比，無(wú)接點(diǎn)MOS FET繼電器的導通電阻不依賴(lài)于開(kāi)關(guān)次數。

持續保持穩定的低導通電阻。

④低功耗

與干簧管繼電器相比，輸入側的消耗功率極低，可為設備的節能作貢獻。

⑤其他特性

半導體設備 VS MOS FET繼電器

①優(yōu)異的線(xiàn)性度特性

由于晶體管耦合器或雙向可控硅耦合器的輸出側單元所具線(xiàn)性度較低，所以在輸出之間通過(guò)的信號會(huì )發(fā)生失真。
MOS FET繼電器與晶體管耦合器或雙向可控硅耦合器不同，可通過(guò)與機械式繼電器相匹配的超群線(xiàn)性度特性，有效抑制信號的失真。
可控制模擬信號，所以最適用于測試器、測量設備。

②穩定的低電流驅動(dòng)有助于節能

MOS FET繼電器

如果是MOS FET繼電器，輸出切換電流則不會(huì )受到輸入電流的影響。
MOS FET繼電器通過(guò)極小電流即可運行，可為設備的節電作貢獻。在達到使用壽命后，輸出電流不會(huì )像晶體管耦合器那樣下降。

晶體管耦合器

晶體管耦合器在增大輸入側電流時(shí)，輸出側電流也會(huì )變大，所以與MOS FET繼電器相比，會(huì )消耗更多的電力。
因此，LED老化會(huì )使輸出也跟隨減弱，由此需要更多的電力。

③通過(guò)低輸入電流控制高輸出切換電流

④微小漏電流

與其他半導體設備相比，關(guān)閉狀態(tài)時(shí)的漏電流極小，所以還可執行微小電流的測定?？刂贫嘤嗟穆╇娏?，有助于抑制性能老化所致發(fā)熱下降或電路的錯誤動(dòng)作。

⑤支持AC/DC的豐富種類(lèi)

可支持AC和DC的豐富種類(lèi)擴大了應用的使用范圍。